Sperrschichtloser GAA-MOSFET

In der sich ständig weiterentwickelnden Landschaft der Halbleitertechnologie ist das Streben nach kleineren, schnelleren und effizienteren Bauelementen eine treibende Kraft für Innovationen. Unter den unzähligen Fortschritten sticht die Entwicklung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) mit nahtlosem Gate-All-Around (GAA) als transformativer Meilenstein hervor. Dieses Buch befasst sich mit dem Junctionless GAA MOSFET, einem Durchbruch, der verspricht, die Grenzen des konventionellen Transistordesigns neu zu definieren. Von der konzeptionellen Entstehung bis hin zu den praktischen Auswirkungen auf verschiedene Branchen will dieses Buch die Feinheiten dieser Spitzentechnologie entschlüsseln. Mit einer Mischung aus technischen Einblicken, praktischen Anwendungen und zukunftsweisenden Perspektiven soll der Weg in eine Zukunft beleuchtet werden, in der funktionslose GAA-MOSFETs eine zentrale Rolle bei der Gestaltung der Halbleiterlandschaft spielen.

Rajni Gautam erhielt 2014, 2009 bzw. 2007 einen Doktortitel, einen Masterabschluss und einen Bachelorabschluss in Elektronik von der Universität Delhi, Indien. Sie hat 16 Veröffentlichungen in renommierten internationalen Zeitschriften und 15 Veröffentlichungen auf internationalen Konferenzen. Sie wurde insgesamt 338 Mal zitiert und hat einen h-Index von 10.