Artikelbeschreibung
Razvitie fiziki radiacionnyh defektov v kremnii tesno svyazano s resheniem prakticheskih problem sozdaniya bystrodejstvujushhih silovyh tranzistorov i diodov, a takzhe povysheniya radiacionnoj stojkosti poluprovodnikovyh priborov. Aktual'nost' temy raboty opredelyaetsya neobhodimost'ju v novoj informacii: vo-pervyh, o vliyanii neravnomernogo raspredeleniya radiacionnyh defektov i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zaryada v bar'ernyh strukturah, chto mozhet byt' ispol'zovano dlya otrabotki novyh radiacionnyh tehnologij upravleniya staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolyarnyh poluprovodnikovyh priborov; vo-vtoryh, o defektah, sozdavaemyh pri obluchenii poluprovodnikov vysokojenergeticheskimi tyazhelymi chasticami, chto vazhno dlya prognozirovaniya radiacionnoj stojkosti jelektronnyh priborov. V rabote izlozheny rezul'taty issledovanij kremnievyh p+-n-struktur, obluchennyh vysokojenergeticheskimi ionami vismuta, kriptona, xenona. Predstavleny jexperim
ental'nye dannye, podtverzhdajushhie vozmozhnost' ispol'zovaniya oblucheniya ionami vismuta s jenergiej 700 MjeV v tehnologii proizvodstva bystrodejstvujushhih silovyh diodov na kremnii.
Personeninformation
Vo Kuang N'ya: - Ot 2004 godu do 2009 - stepen' bakalavra.- V 2009 godu - stepen' magistra.- Ot 2009 do 2011 rabotal v Hjujesskom universitete, V'etnam.- V 2014 godu - stepen' kandidata.- V 2015 godu- stazhirovka.- Ot 2016 godu po nastoyashhee vremya rabotaet v Hjujesskom universitete, V'etnam.
Schlagwörter
Bewertungen
Die Bewertungen werden vor ihrer Veröffentlichung nicht auf ihre Echtheit überprüft. Sie können daher auch von Verbrauchern stammen, die die bewerteten Produkte tatsächlich gar nicht erworben/genutzt haben.